絲?。?strong>BSP295；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

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TECHPUBLIC

臺舟電子

SIPMOS Small-Signal Transistor

Feature ? N-Channel ? Enhancement mode ? dv/dt rate ? Pb-free lead plating; RoHS complian

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INFINEON

英飛凌

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

SIPMOS? Small-Signal Transistor ? N channel ? Enhancement mode ? Logic Level ? VGS(th) = 0.8...2.0V

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SIEMENS

西門子

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飛凌

采用 SOT-223 封裝的 N 溝道小信號 MOSFET 60 V

所有的小型單個 n 通道系列產(chǎn)品均適合汽車應用（2N7002 除外）。 ? 增強模式\n? 無鉛鍍層；符合 RoHS\n? 質量符合 AEC Q101 標準\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n優(yōu)勢:;

Infineon

英飛凌

SIPMOS??Small-Signal-Transistor

Feature ? N-Channel ? Enhancement mode ? dv/dt rate ? Pb-free lead plating; RoHS complian

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INFINEON

英飛凌

SIPMOS Small-Signal-Transistor

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INFINEON

英飛凌