IGBT-Module

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62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode

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IGBT-Modules

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SiC（碳化硅）功率模塊

BSM300C12P3E201是低浪涌、低開(kāi)關(guān)損耗的SiC功率模塊。適合電機(jī)驅(qū)動(dòng)、轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能發(fā)電及風(fēng)力發(fā)電用途。 ? Low surge, low switching loss.\n? High-speed switching possible.\n? Reduced temperature dependance.;

ROHM

羅姆

SiC（碳化硅）功率模塊

BSM300C12P3E301是一款斬波型SiC功率模塊，由羅姆制造的SiC-UMOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成。適用于逆變器應(yīng)用。\n\n#banner-area a:link {text-decoration: none!important;}#banner-area a {width: 160px;padding: 4px;margin: 5px 2px;display: block;background-color: white !important;text-align: center;font-size: 9px;color: #464646 !importan ? Low surge, low switching loss.\n? High-speed switching possible.\n? Reduced temperature dependance.;

ROHM

羅姆

Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 570A 2250W

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Package：模塊；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 430A 2500W

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