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BSH103	文件：96.52 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode MOS transistor in a SOT23 SMD package. FEATURES ? Very low threshold ? High-speed switching ? No secondary breakdown ? Direct interface to C-MOS, TTL etc. APPLICATIONS ? Power management ? DC to DC converters ? Battery powered applications ? ‘Glue- 文件：96.52 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
BSH103	文件：1.85593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? TrenchFET? Power MOSFET ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? DC/DC Converter 文件：1.85593 Mbytes 頁數(shù)：9 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
BSH103	文件：197.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode MOS transistor FEATURES · Very low threshold · High-speed switching · No secondary breakdown · Direct interface to C-MOS, TTL etc. APPLICATIONS · Power management · DC to DC converters · Battery powered applications · ‘Glue-logic’; interface between logic blocks and/or periphery · General purpose swit 文件：197.85 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH103	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.	Nexperia 安世	Nexperia
BSH103BK	文件：288.26 Kbytes Page：13 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/uq/marking.html">UQ；Package：SOT23；30 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Low threshold voltage ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ElectroStatic Dis 文件：288.26 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSH103BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. ? Low threshold voltage\n? Very fast switching\n? Trench MOSFET technology\n? ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
12
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
270
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
355
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.8
Ptot [max] (W)：
0.33
VGSth [typ] (V)：
1
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
79.299995
Coss [typ] (pF)：
11.8
Release date：
2021-02-12

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	BSH103	Nexperia(安世)	/	TO-236AB	6666	原裝	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	BSH103	恩XP	25+		7589	全新原裝現(xiàn)貨,支持排單訂貨,可含稅開票	詢價(jià)
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瀚佳科技(深圳)有限公司	BSH103	恩XP	24+	SOT23	8900	全新原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	BSH103	NEXPERIA/安世	2019+	SOT-23	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BSH103	恩XP	2019+PB	SOT-23	34300	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BSH103	NEXPERIA/安世	2021+	SOT-23	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	BSH103	NEXPERIA	24+	SOT23	92459	只做原裝有掛有貨假一賠十	詢價(jià)
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更多BSH103供應(yīng)商更新時(shí)間2025-12-26 11:21:00

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