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BSDD06G65E2	文件：300 bytes Page：1 Pages	碳化硅肖特基勢壘二極管	Bourns 伯恩斯	Bourns
BSDH06G65E2	文件：182.59 Kbytes Page：6 Pages	BSDH06G65E2 Silicon Carbide Schottky Diode Features ■ High efficiency with low power loss ■ Low reverse leakage current ■ High peak forward surge current (IFSM) ■ Reduced EMI ■ Maximum operating TJ up to 175 °C ■ Epoxy compound is flame retardant to the UL 94V-0 standard ■ RoHS compliant, Pb free and halogen free* Applications 文件：182.59 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BSG0810NDI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSDSON-8	INFINEON 英飛凌上傳：深圳市威爾健半導體有限公司	INFINEON
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更多BSDD06G65E2供應商更新時間2026-1-22 14:49:00