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BSD3C051V	文件：496.96 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessor based equipment Features Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs) 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) 文件：496.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	UMW 友臺(tái)半導(dǎo)體	UMW
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更多BSD3C051VB供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 16:29:00