OptiMOSTM Power-MOSFET

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INFINEON

英飛凌

Optimized for e-fuse and ORing application

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current--ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage--VDSS= 25V(Min) APPLICATIONS ·Synchronous Rectification in SMPS ·UPS ·Motor Control

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ISC

無錫固電

絲印：09NE2LS5；Package：PG-TDSON-8；Optimized for high performance buck converters

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INFINEON

英飛凌

絲印：09NE2L5I；Package：PG-TDSON-8；Optimized for high performance buck converters

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INFINEON

英飛凌

N 溝道功率 MOSFET

With the new OptiMOS? 25V product family, Infineon sets new standards in power density and Energy Efficiency for discrete power MOSFETs. Lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS? 25V the best choice for the demanding requirements of battery management, or-ing, e-fuse and ? Lowest on-state resistance\n? High DC and pulsed current capability\n? Easy to design-in\n\n優(yōu)勢:\n? Increased battery lifetime/system efficiency\n? Saving space (reducing the number of devices needed)\n? Saving costs;

Infineon

英飛凌

20V-300V N-Channel Power MOSFET

憑借 OptiMOS? 5 25V 和 30V 產品系列，英飛凌通過在待機和全功率運行中實現(xiàn)高功率密度和高能效來提供基準解決方案。 ? 同類中較為出色的導通電阻\n? 基準開關性能 (極低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品質因數(shù))\n? 符合 RoHS 標準且無鹵素\n? 優(yōu)化的 EMI 行為 (集成阻尼網絡)\n\n優(yōu)勢:\n? 高效率\n? 具有 S3O8 或功率塊封裝的極高功率密度\n? 降低整體系統(tǒng)成本\n? 在高開關頻率下操作;

Infineon

英飛凌

20V-300V N-Channel Power MOSFET

憑借 OptiMOS? 5 25V 和 30V 產品系列，英飛凌通過在待機和全功率運行中實現(xiàn)高功率密度和高能效來提供基準解決方案。 ? 同類中較為出色的導通電阻\n? 基準開關性能 (極低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品質因數(shù))\n? 符合 RoHS 標準且無鹵素\n? 優(yōu)化的 EMI 行為 (集成阻尼網絡)\n\n優(yōu)勢:\n? 高效率\n? 具有 S3O8 或功率塊封裝的極高功率密度\n? 降低整體系統(tǒng)成本\n? 在高開關頻率下操作;

Infineon

英飛凌