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BS616LV1623TI-55	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1623TI-70	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1623TIG55	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1623TIG70	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1623TIP55	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1623TIP70	文件：256.89 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M x 16 or 2M x 8 bit switchable [BSI] DESCRIPTION The BS616LV1623 is a high performance, very low power CMOS Static Random Access Memory organized as 1,048,676 words by 16 bits or 2,097,152 bytes by 8 bits selectable by CIO pin and operates in a Vcc range of 2.7V to 3.6V supply voltage. FEATURES ? Vcc operation voltage : 2.7 文件：256.89 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BS616LV1010	文件：216.4 Kbytes Page：10 Pages	Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit 文件：216.4 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	BSI 連邦科技	BSI
BS616LV1010	文件：209.36 Kbytes Page：11 Pages	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 文件：209.36 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	BSI 連邦科技	BSI
BS616LV1010	文件：246.46 Kbytes Page：11 Pages	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 文件：246.46 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	BSI 連邦科技	BSI
BS616LV1010_06	文件：209.36 Kbytes Page：11 Pages	Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit 文件：209.36 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	BSI 連邦科技	BSI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BS61
制造商：
Hammond Manufacturing
類別：
電池產(chǎn)品 > 電池座，電池夾，電池觸頭
系列：
1599
包裝：
散裝
電池類型，功能：
9V，卡入式連接器
樣式：
連接器，卡入式
電池尺寸：
9V
電池數(shù)：
1
安裝類型：
自由懸掛
端接樣式：
導線引線
描述：
BATT CONNECT SNAP 9V 1 CELL WIRE

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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