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首頁 >BS107>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BS107	文件：52.4 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts N-Channel TO-92 Features ? Pb?Free Package is Available* 文件：52.4 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BS107	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET 250 mA, 200 V, N?Channel TO?92 Features ? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? This is a Pb?Free Device* 文件：61.72 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BS107	文件：65.099 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT223 envelope, intended for use as a line current interruptor in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers. FEATURES ? Direct interface to C-MOS, TTL, etc. ? High-speed switching 文件：65.099 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	PHI PHI	PHI
BS107	文件：61.91 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR Features ? High Breakdown Voltage ? High Input Impedance ? Fast Switching Speed ? Specially Suited for Telephone Subsets 文件：61.91 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BS107	文件：76.19 Kbytes Page：4 Pages	TMOS Switching(N-Channel-Enhancement) TMOS Switching N–Channel — Enhancement 文件：76.19 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
BS107	文件：109.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors 文件：109.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	TEMIC	TEMIC
BS107	文件：77.84 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS? Small-Signal Transistor ? N channel ? Enhancement mode ? Logic Level ? VGS(th) = 0.8...2.0V 文件：77.84 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BS107	文件：87.03 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs 文件：87.03 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SYC	SYC
BS107	文件：45.33 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs 文件：45.33 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BS107	文件：56.47 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts 文件：56.47 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

技術(shù)參數(shù)

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
200 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.12 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
23000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
2.7 nC
Packages：
E-Line

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更多BS107供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 9:38:00

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