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BSH121	文件：297.38 Kbytes Page：13 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Product availability: BSH121 in SOT323. Features ■ TrenchMOS? technology ■ Very fast switching ■ Low threshold voltage ■ Subminiature surface mount package. Applications ■ 文件：297.38 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
BSH121	文件：397.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Product availability: BSH121 in SOT323. 2. Features n TrenchMOS? technology n Very fast switching n Low threshold voltage n Subminiature surface mount package. 3. Applicat 文件：397.48 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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更多BN121供應(yīng)商更新時間2026-1-21 15:09:00