BLV21中文資料飛利浦數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
BLV21三極管、BLV21晶體管、BLV21晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
甚高頻 （VHF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
65V
- 最大電流允許值：
1.75A
- 最大工作頻率：
175MHZ
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
G-266
- vtest：
65
- htest：
175000000
- atest：
1.75
- wtest：
15
BLV21規(guī)格書詳情
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 28 V. The transistor is
resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions.
It has a 3/8 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
BLV21
- 功能描述：
射頻雙極電源晶體管 RF Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
M/A-COM Technology Solutions
- 配置：
Single 直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
40
- 最大工作頻率：
30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
25 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
4 V
- 集電極連續(xù)電流：
20 A
- 功率耗散：
250 W
- 封裝/箱體：
Case 211-11
- 封裝：
Tray
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SMD |
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