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首頁(yè) >BLV10>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BLV10	文件：81.55 Kbytes Page：11 Pages	VHF power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f. and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply ov 文件：81.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
BLV10	文件：115.23 Kbytes Page：4 Pages	VHP power transistor DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, h.f.and v.h.f. transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions with a supply ove 文件：115.23 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BLV100	文件：63.52 Kbytes Page：10 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a SOT171 envelope, intended for common emitter, class-AB operation in radio transmitters for the 960 MHz communications band. The transistor has a 6-lead flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES ? 文件：63.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
BLV101A	文件：247.57 Kbytes Page：4 Pages	UHF power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistors intended for common emitter, class-AB operation in base station transmitters in the frequency range 850 to 960 MHz, Both transistors have a SOT273 6-lead flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES ? H 文件：247.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BLV101B	文件：247.57 Kbytes Page：4 Pages	UHF power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistors intended for common emitter, class-AB operation in base station transmitters in the frequency range 850 to 960 MHz, Both transistors have a SOT273 6-lead flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange. FEATURES ? H 文件：247.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BLV103	文件：89.97 Kbytes Page：10 Pages	UHF power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a 6-lead SOT171 flange envelope with a ceramic cap. It is intended for common emitter, class-AB operation in cellular radio base stations in the 960 MHz frequency band. All leads are isolated from the mounting base. FEATURES ? 文件：89.97 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	PHI PHI	PHI
BLV108	文件：90.07 Kbytes Page：2 Pages	BLV108 description: N-channel enhanced VDMOS, high speed switch, no secondary breakdown 文件：90.07 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	BELLING 上海貝嶺	BELLING
BLV10	文件：300 bytes Page：1 Pages	射頻(RF)雙極晶體管 RF Transistor	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
BLV10	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power transistor	恩XP	恩XP
BLV10	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power transistor	NJS	NJS

晶體管資料

型號(hào)：
BLV10
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
甚高頻（VHF）_功率放大（L）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
36V
最大電流允許值：
1.5A
最大工作頻率：
175MHZ
引腳數(shù)：
4
可代換的型號(hào)：
MRF221,
最大耗散功率：
8W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
G-266
vtest：
36
htest：
175000000
atest：
1.5
wtest：
8

技術(shù)參數(shù)

VDS(Max.)：
200V
ID(Max.)：
0.3A
RDS(on)(Max.)：
5Ω
Package：
TO92
Reference：
BS108

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市金華微盛電子有限公司	BLV10	PHI	2019+	SMD	6992	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	BLV10	PHI	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BLV10	MOT	24+		580		詢價(jià)
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深圳市粵駿騰電子科技有限公司	BLV10	PHI	24+		135	現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BLV10	PHI	20+	高頻管	29516	高頻管全新原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市拓億芯電子有限公司	BLV10	PHI	25+	TO-59	1200	全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
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更多BLV10供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:04:00

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