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BLH3355	文件：87.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP Description ? NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ? Low noise and high gain bandwidth product ? High power gain Applications ? UHF / VHF wide band amplifier 文件：87.86 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	BELLING 上海貝嶺	BELLING
BLH3355	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP	Belling 上海貝嶺	Belling
C3355	文件：102.15 Kbytes Page：8 Pages	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES ? Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz 文件：102.15 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
CPH3355	文件：380.41 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features ? ON-resistance RDS(on)1=120mΩ(typ.) ? 4V drive ? Halogen free compliance 文件：380.41 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH3355	文件：404.92 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features ? On-resistance RDS(on)1=120m? (typ) ? 4V drive ? Halogen free compliance 文件：404.92 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

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更多BLH3355供應(yīng)商更新時間2026-1-20 13:57:00