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首頁 >BLF248>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BLF248	文件：105.14 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor, designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT262 A1 balanced flange envelope, with two ceramic caps. The mounting flange provides 文件：105.14 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	PHI PHI	PHI
BLF248	文件：22.49 Kbytes Page：1 Pages	VHF POWER MOSFET DESCRIPTION: The ASI BLF248is a Balanced N-Channel Enhancement-Mode RF Power MOSFET Designed for AM and FM Power Amplifier Applications up to 250 MHz. FEATURES INCLUDE: ? PG= 11 dB Typical at 225 MHz ? 5:1Load VSWR Capability ? Omnigold? metalization system 文件：22.49 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	ASI	ASI
BLF248	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BLF248	文件：90.33 Kbytes Page：2 Pages	VHF push-pull power MOS transistor DESCRIPTION Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor, designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range. The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT262 A1 balanced flange package, with two ceramic caps. The mounting flange provides 文件：90.33 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ELEFLOW	ELEFLOW
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF power MOSFET N-Channel Enhancement Mode DESCRIPTION:\nThe ASI BLF248is a Balanced N-Channel Enhancement-Mode RF Power MOSFET Designed for AM\nand FM Power Amplifier Applications up to 250 MHz.FEATURES INCLUDE:\n? PG= 11 dB Typical at 225 MHz\n? 5:1Load VSWR Capability\n? Omnigold? metalization system	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	VHF push-pull power MOS transistor	恩XP	恩XP
BLF248	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF MOSFET	NJS	NJS
BLF248_15	文件：89.65 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor 文件：89.65 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
BLF248_2015	文件：89.65 Kbytes Page：13 Pages	VHF push-pull power MOS transistor 文件：89.65 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
BLF248,112	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-262A1；包裝：托盤類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻描述：RF FET 2 NC 65V 11.5DB SOT262A1	Ampleon USA Inc.	Ampleon USA Inc.

技術(shù)參數(shù)

Output Power：
300W
Number of Elements per Chip：
2
Mode of Operation：
Class AB
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Frequency：
225MHz
Maximum Drain Source Voltage：
65V
Maximum Drain Source Resistance：
150@10VMOhm
Maximum Continuous Drain Current Range：
20 to 50A
Maximum Continuous Drain Current：
25A
Configuration：
Dual Common Source
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BLF248	恩XP	24+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	9448	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	BLF248	恩XP	2019+	SMD	6992	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	BLF248	PHI	23+		1688	房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633	詢價(jià)
深圳市誠利順電子科技有限公司	BLF248	恩XP	25+	SOT-262A1	6500	十七年專營原裝現(xiàn)貨一手貨源,樣品免費(fèi)送	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BLF248	恩XP	24+	SOT-262A1	112		詢價(jià)
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千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	BLF248	恩XP	24+	SMD	5500	長期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談	詢價(jià)
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更多BLF248供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 22:59:00

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