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BFU725F/N1	文件：80.92 Kbytes Page：11 Pages	NPN wideband silicon germanium RF transistor General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. Features ■ Low noise high gain microwave transistor ■ Noise figure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz ■ High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz ■ 11 文件：80.92 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	恩XP	恩XP
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更多BFU725F/N1供應商更新時間2026-1-19 11:17:00