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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFS483	文件：60.61 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor ? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA ? fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz ? Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package ? For orientation in reel see package information below ? Pb-fr 文件：60.61 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFS483	文件：53.71 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low-noise, high-gain broadband amplifier at colector current from 2mA to 28mA) NPN Silicon RF Transistor ? For low-noise, high-gain broadband amplifier at collector currents from 2 mA to 28 mA ? fT = 8 GHz F = 1.2 dB at 900 MHz ? Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package 文件：53.71 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BFS483	文件：566.24 Kbytes Page：6 Pages	Qualification report according to AEC-Q101 available 文件：566.24 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFS483	文件：127.27 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：127.27 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFS483	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪聲RF 管基 NPN 硅射頻晶體管，用于集電極電流為 2 mA 至 30 mA 的低噪聲、高增益寬帶放大器 ? 適用于低噪聲、高增益寬帶放大器，集電極電流從 2 mA 到 30 mA\n? 一個(gè)封裝中有兩個(gè)（電流）內(nèi)部隔離晶體管\n? 無鉛（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）封裝;	Infineon 英飛凌	Infineon
BFS483_07	文件：127.27 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：127.27 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFS483_13	文件：566.24 Kbytes Page：6 Pages	Qualification report according to AEC-Q101 available 文件：566.24 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

晶體管資料

型號：
BFS483
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_差分放大器射極輸出（Dual）_
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.065A
最大工作頻率：
>6GHZ
引腳數(shù)：
6
可代換的型號：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-23
vtest：
20
htest：
6000100000
atest：
0.065
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

Gmax：
19 dB @900 MHz
ICmax：
65 mA
NFmin：
0.90 dB @900 MHz
OIP3：
26.5 dBm
OP1dB：
9 dBm
Ptot：
450 mW
VCEOmax：
12 V
Package：
SOT363

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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