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首頁 >BFR19>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFR193TF	文件：146.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Description The main purpose of this bipolar transistor is broad band amplification up to 2 GHz. In the space-saving 3-pin surface-mount SOT-490 package electrical performance and reliability are taken to a new level covering a smaller footprint on PC boards than previous packages. Feature 文件：146.84 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BFR193TW	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Planar RF Transistor Features ? Low noise figure ? High transition frequency fT = 8 GHz ? Excellent large-signal behaviour ? Lead (Pb)-free component ? Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC Applications ? ?For low-noise, high-gain applications such as power amplifiers up to 2GHz and f 文件：68.89 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
BFR193W	文件：56.88 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers) NPN Silicon RF Transistor ? For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz ? For linear broadband amplifiers ? fT = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz 文件：56.88 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BFR193W	文件：80.59 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor ? For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz ? For linear broadband amplifiers ? fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz ? Pb-free (RoHS compliant) package ? Qualification report according to AEC-Q101 available 文件：80.59 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFR194	文件：57.41 Kbytes Page：7 Pages	PNP Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications) PNP Silicon RF Transistor ? For low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20mA to 80mA ? Complementary type: BFR 106 (NPN) 文件：57.41 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BFR193	文件：632.42 Kbytes Page：6 Pages	絲印：RCs；Package：SOT-23；Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：632.42 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFR193	文件：78.29 Kbytes Page：7 Pages	絲印：RCs；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor 文件：78.29 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFR193_07	文件：78.29 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：78.29 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFR193_14	文件：632.42 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：632.42 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BFR193F	文件：542.07 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：542.07 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

晶體管資料

型號：
BFR19
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
75V
最大電流允許值：
1A
最大工作頻率：
100MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC140,BC141,BCY55,BSX45,BSY83,BSY84,2N1990,2N2102,2N2405,3DG182B,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-40
vtest：
75
htest：
100000000
atest：
1
wtest：
0.8

技術(shù)參數(shù)

ICmax：
80 mA
NFmin：
1 dB @900 MHz
OIP3：
30 dBm @900 MHz
OP1dB：
13 dBm @900 MHz
VCEOmax：
12 V
Package：
SOT23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BFR19供應(yīng)商更新時間2026-1-19 10:50:00

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