低噪聲RF 管基

BFP840ESD 是專為高性能 5 GHz 頻段設(shè)計的分立異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT)。 ? 高端 RF 性能與穩(wěn)健性的獨特組合：最大 RF 輸入功率 20 dBm，1.5kV HBM ESD 硬度\n? 高增益 Gms = 22.5 dB @ 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA\n? 適用于低壓應(yīng)用，例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V（2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相應(yīng)的集電極電阻）;

Infineon

英飛凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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INFINEON

英飛凌

Package：SC-82A，SOT-343；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343

INFINEON

英飛凌

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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INFINEON

英飛凌

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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ESTEK

伊泰克電子

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

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FOSHAN

藍箭電子