Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

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Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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低噪聲RF 管基

BFP640ESD 是硅鍺碳 (SiGe:C) NPN 異質(zhì)結(jié)寬帶雙極射頻晶體管 (HBT)，采用塑料雙發(fā)射極標(biāo)準(zhǔn)封裝，帶有可見引線。該設(shè)備配有內(nèi)部保護電路，大大增強了對 ESD 和高 RF 輸入功率的抵抗能力。該設(shè)備結(jié)合了堅固性、非常高的射頻增益和低工作電流下的最低噪聲系數(shù)，可用于廣泛的無線應(yīng)用。BFP640ESD 特別適合便攜式電池供電應(yīng)用，因為降低功耗是該類應(yīng)用的關(guān)鍵要求。設(shè)備設(shè)計支持高達 4.1 V 的集電極電壓。 ? 基于英飛凌可靠、高容量 SiGe:C 晶圓技術(shù)的堅固耐用的高性能低噪聲放大器\n? 最大射頻輸入功率高達 21 dBm\n? 1.5 GHz 時最大增益 Gms 典型值為 26.5 dB，2.4 GHz 時為 23 dB，30 mA\n? 提供精確的 SPICE GP 模型，可實現(xiàn)高效的在研設(shè)計（參見第 6 章）\n? 易于使用，無鉛、無鹵素（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）標(biāo)準(zhǔn)封裝，引腳可見;

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