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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BFG520W/X	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	絲印：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：154.23 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG520WSLASHX	文件：154.23 Kbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/n4/marking.html">N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：154.23 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	PHI PHI	PHI
BFG520WSLASHX	文件：304.75 Kbytes Page：15 Pages	絲印：N4；Package：SOT-343N；NPN 9 GHz wideband transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343N plastic package. FEATURES ? High power gain ? Low noise figure ? High transition frequency ? Gold metallization ensures excellent reliability. APPLICATIONS RF front end wideband applications in the GHz rang 文件：304.75 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	恩XP	恩XP
BFG520W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p 文件：9.37507 Mbytes 頁數(shù)：130 Pages	恩XP	恩XP
BFG520_18	文件：281.9 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor 文件：281.9 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BFG520W	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
BFG520W_15	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC
BFG520W_2015	文件：130.66 Kbytes Page：16 Pages	NPN 9 GHz wideband transistors 文件：130.66 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	JMNIC 錦美電子	JMNIC

晶體管資料

型號：
BFG520
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
表面帖裝型（SMD）_超高頻/特高頻（UHF）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.07A
最大工作頻率：
9GHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-17
vtest：
20
htest：
9000000000
atest：
0.07
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

IC(A)：
70mA
PD(W)：
300mW
VCE(sat)(V)：
6V
fT(MHz)：
9GHz
Package：
SOT-143R

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市英科美電子有限公司	BFG520	恩XP	22+	SOT143	36500	只做原裝正品,假一賠十!	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	BFG520	恩XP	24+	SOT-143	36524	原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時內(nèi)發(fā)貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BFG520	恩XP	25+	SOT143	32360	NXP/恩智浦全新特價BFG520即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨	詢價
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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	BFG520	恩XP	2024+	N/A	70000	柒號只做原裝現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BFG520	恩XP	23+	N/A	12000	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	BFG520	恩XP	2025+	SOT143	5000	原裝進(jìn)口價格優(yōu) 請找坤融電子!	詢價
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更多BFG520供應(yīng)商更新時間2026-1-18 14:03:00

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