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BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ? For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ? Operating voltage 12V ? Integrated stabilized bias network 文件：33.42 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BF1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	DC input,High Vceo,Creepage distance>8mm	BFSEMI 畢方	BFSEMI
BF1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network	Infineon 英飛凌	Infineon
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5V Integrated stabilized bias network) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode ? For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz ? Operating voltage 5V ? Integrated stabilized bias network 文件：43.75 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE ? For low-noise, gain-controlled input stages up to 1GHz ? Operating voltage 12V ? Integrated bias Network 文件：359.34 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BF1012W	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)	Infineon 英飛凌	Infineon

技術(shù)參數(shù)

Status：
Active
Viso(Vrms)：
5000
VCEO(V)：
80
CTR min(%)：
63
CTR max(%)：
125
TEST If(mA)：
10
Package：
LSOP4

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BF1012供應(yīng)商更新時間2026-1-19 9:04:00

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