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首頁(yè) >BDX53B>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BDX53B	文件：115.7 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：115.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BDX53BFP	文件：90.7 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The BDX53BFP is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in T0-220FP fully molded isolated package. It is intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications. APPLIC 文件：90.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
BDX53B_06	文件：87.39 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：87.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BDX53B_07	文件：106.09 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：106.09 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BDX53B_07	文件：86.52 Kbytes Page：7 Pages	Complementary power Darlington transistors 文件：86.52 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
BDX53B_14	文件：115.7 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：115.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BDX53BG	文件：115.7 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：115.7 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
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BDX53BG	文件：87.39 Kbytes Page：7 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：87.39 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BDX53B	文件：300 bytes Page：1 Pages	互補(bǔ)功率達(dá)林頓晶體管 The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. ? Good hFE linearity \n? Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode \n? High fT frequency;	ST 意法半導(dǎo)體	ST

晶體管資料

型號(hào)：
BDX53B
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
8A
最大工作頻率：
20MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD267A,BD647,BD899,BDW73B,BDX33B,
最大耗散功率：
60W
放大倍數(shù)：
β>750
圖片代號(hào)：
B-10
vtest：
80
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
60

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
BDX53B
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）：
500μA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多BDX53B供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 10:50:00

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