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首頁 >BDV65>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BDV65A	文件：77.68 Kbytes Page：4 Pages	NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV64-A- B-C Compliance to RoHS. 文件：77.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	COMSET	COMSET
BDV65A	文件：135.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BDV64/64A/64B/64C ? DARLINGTON ? High DC current gain APPLICATIONS ? For use in general purpose amplifier applications. 文件：135.53 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BDV65A	文件：89.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：89.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
BDV65A	文件：137.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BDV64/64A/64B/64C ? DARLINGTON ? High DC current gain APPLICATIONS ? For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.37 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65B	文件：170.48 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,125W) 文件：170.48 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOSPEC 統(tǒng)懋	MOSPEC
BDV65B	文件：146.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：146.78 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	POINN	POINN
BDV65B	文件：137.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BDV64/64A/64B/64C ? DARLINGTON ? High DC current gain APPLICATIONS ? For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.37 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDV65B	文件：135.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BDV64/64A/64B/64C ? DARLINGTON ? High DC current gain APPLICATIONS ? For use in general purpose amplifier applications. 文件：135.53 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BDV65B	文件：89.68 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：89.68 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
BDV65B	文件：77.68 Kbytes Page：4 Pages	NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV64-A- B-C Compliance to RoHS. 文件：77.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	COMSET	COMSET

晶體管資料

型號：
BDV65
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
12A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BDV67,BDW83A,FH9C,
最大耗散功率：
125W
放大倍數(shù)：
β>1000
圖片代號：
B-62
vtest：
60
htest：
999900
atest：
12
wtest：
125

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BDV65
制造商：
Central Semiconductor Corp
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
頻率 - 躍遷：
60MHz
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-218-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
描述：
TRANS NPN 60V 12A TO218

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	BDV65		24+	TO-3PN	10000	全新	詢價
深圳市賽爾通科技有限公司	BDV65	BOURNS	23+		330		詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BDV65	PHI	22+	TO-3P	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市藍山航業(yè)科技有限公司	BDV65	pi	25+		500000	行業(yè)低價,代理渠道	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	BDV65	ST	23+	TO-3P	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市旺財半導體有限公司	BDV65		23+		20000	正品原裝貨價格低	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	BDV65		24+	N/A	61000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	BDV65	PHI	25+	TO-3P	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
深圳市利芯偉業(yè)科技有限公司	BDV65	ST	22+	TO-3P	16900	支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!	詢價
深圳市騰億芯科技有限公司	BDV65	ST	25+	TO-3P	16900	原裝，請咨詢	詢價

更多BDV65供應(yīng)商更新時間2026-1-18 16:00:00

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