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|---|---|---|---|---|
BDV64A | POWER TRANSISTORS(12A,125W)
文件：170.48 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | MOSPEC 統(tǒng)懋 | MOSPEC | |
BDV64A | PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS PNP SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial base transistors mounted in TO-3PN. Theyare designed for audio output stages and general amplifier and switching applications. complementary is BDV65-A-B-C Compliance to RoHS. 文件：77.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | COMSET | COMSET | |
BDV64A | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= -12A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5A ·Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：251.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | |
BDV64A | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ? Collector Current -lc= -12A ? Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)=-2.0V(Max.)@ lc= -5A ? Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS ? Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：131.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDV65, BDV65A, BDV65B and BDV65C ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：120.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | POINN | POINN | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BDV65/65A/65B/65C ·DARLINGTON ·High DC current gain APPLICATIONS ·For use in general purpose amplifier applications. 文件：137.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ? Designed for Complementary Use with BDV64, BDV64A, BDV64B and BDV64C ? 125 W at 25 °C Case Temperature ? 12 A Continuous Collector Current ? Minimum hFE of 1000 at 4 V, 5 A 文件：643.99 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：109.72 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64A | PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：110.73 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BDV64A | Silicon PNP Power Transistors 文件：139.15 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠(chǎng)家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BDV66A,BDW84B,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-62
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BDV64A
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
PNP
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 頻率 - 躍遷：
60MHz
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-218-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
- 描述：
TRANS PNP 80V 12A TO218
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POWERINNOV |
24+/25+ |
10 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢(xún)價(jià) | |||
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢(xún)價(jià) | |||
SEC/上優(yōu) |
23+ |
TO3P |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
PHI |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
BDV64A |
25+ |
500 |
500 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-3P |
8148 |
原廠(chǎng)授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢(xún)價(jià) | ||
bourns |
25+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢(xún)價(jià) | |||
VAL |
23+ |
20000 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢(xún)價(jià) | |||
PHI |
25+ |
TO-3P |
53200 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
SEC |
25+ |
TO3P |
250 |
原裝正品,假一罰十! |
詢(xún)價(jià) |
