| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BDT30B | isc Silicon PNP Power Transistors 文件：116.2 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
BDT30B | Silicon PNP Power Transistors 文件：132.72 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
Silicon PNP Power Transistors 文件：135.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon PNP Power Transistors 文件：114.25 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | ||
BDT30B | Trans GP BJT PNP 80V 1A | NJS | NJS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
3CA10D,
- 最大耗散功率：
30W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-45
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
30
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Single
- Material：
Si
- Maximum Collector Base Voltage：
120V
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
- Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
- Maximum DC Collector Current：
1A
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum Operating Temperature：
150?C
- Maximum Power Dissipation：
30000mW
- Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
- Type：
PNP
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
KEC |
23+ |
TO-220F |
90000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
IR |
23+ |
TO-251 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
恩XP |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
恩XP |
22+ |
TO-220 |
92035 |
詢價 | |||
恩XP |
25+ |
TO-TO-220 |
35400 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 |
更多BDT30B供應(yīng)商
更新時間2026-1-19 16:00:00
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