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    首頁>BDC01D>規(guī)格書詳情

    BDC01D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

    PDF無圖
    廠商型號

    BDC01D

    參數(shù)屬性

    BDC01D 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 0.5A TO92

    功能描述

    One Watt Amplifier Transistor

    封裝外殼

    TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

    文件大小

    130.32 Kbytes

    頁面數(shù)量

    4

    生產(chǎn)廠商

    MOTOROLA

    中文名稱

    摩托羅拉

    網(wǎng)址

    網(wǎng)址

    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2026-1-22 15:40:00

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    晶體管資料

    • 型號:

      BDC01D

    • 別名:

      BDC01D三極管、BDC01D晶體管、BDC01D晶體三極管

    • 生產(chǎn)廠家:

    • 制作材料:

      Si-NPN

    • 性質(zhì):

      低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

    • 封裝形式:

      直插封裝

    • 極限工作電壓:

      100V

    • 最大電流允許值:

      1.5A

    • 最大工作頻率:

      <1MHZ或未知

    • 引腳數(shù):

      3

    • 可代換的型號:

    • 最大耗散功率:

      2.5W

    • 放大倍數(shù):

      β=400

    • 圖片代號:

      A-20

    • vtest:

      100

    • htest:

      999900

    • atest:

      1.5

    • wtest:

      2.5

    BDC01D規(guī)格書詳情

    One Watt Amplifier Transistor

    NPN Silicon

    產(chǎn)品屬性

    • 產(chǎn)品編號:

      BDC01DRL1G

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      卷帶(TR)

    • 晶體管類型:

      NPN

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      700mV @ 100mA,1A

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      100nA(ICBO)

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      40 @ 100mA,1V

    • 頻率 - 躍遷:

      50MHz

    • 工作溫度:

      -55°C ~ 150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)

    • 供應(yīng)商器件封裝:

      TO-92(TO-226)

    • 描述:

      TRANS NPN 100V 0.5A TO92

    供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
    Bordiso
    2026+
    TOSP
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    38550
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    上海當(dāng)天發(fā)貨
    20000
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