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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BD809	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWER TRANSISTORS PNP SILICON Plastic High Power Silicon Transistor These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features ? DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc ? Pb-Free Packages are Available* 文件：49.56 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：132.22 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BD809	文件：127.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ? DC Current Gain - : hFE=30@lc=2A ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 80V(Min) ? Complement to Type BD810 APPLICATIONS ? Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：127.85 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BD809	文件：91.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ··With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：91.52 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD809	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power NPN Bipolar Transistor The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ? DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc\n? Pb-Free Packages are Available\n;	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809_07	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809_14	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI
BD809G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導(dǎo)體	ONSEMI

晶體管資料

型號：
BD809
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
10A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD545C,BD709,3DD164B,
最大耗散功率：
90W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
10
wtest：
90

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.1
IC Cont. (A)：
10
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.6
hFE Min：
30
fT Min (MHz)：
1.5
PTM Max (W)：
90
Package Type：
TO-220-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BD809供應(yīng)商更新時間2026-1-18 19:09:00

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