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BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：114.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD650 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 文件：369.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | COMSET | COMSET | |
BD650 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO = -100V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= -3A ·Low Saturation Voltage ·Complement to Type BD649 APPLICATIONS ·Designed for use as complementary AF push-pull 文件：108.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：150.96 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | POINN | POINN | |
BD650 | Silicon PNP Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in output stages in audio equipment ,general amplifier, and analogue switching applications 文件：94.37 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD650 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：125.89 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | SIEMENS 西門(mén)子 | SIEMENS | |
BD650 | PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：127.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages | SIEMENS 西門(mén)子 | SIEMENS | |
BD650 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ? Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 AND BD651 ? 62.5 W at 25°C Case Temperture ? 8 A Continuous Collector Current ? Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：452.78 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BD650 | Silicon NPN Power Transistors 文件：95.95 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD650 | Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：125.1 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD702,BD902,BDW74C,BDX34C,BDX54C,FC50B,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD650
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 62.5W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-126 |
45000 |
ONSEMI/安森美全新現(xiàn)貨BD650即刻詢(xún)購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/進(jìn)口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢(xún)價(jià) | |||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
POWER |
23+ |
TO-220 |
25000 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
P |
23+ |
TO-220 |
34 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
恩XP |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
BOURNS/伯恩斯 |
25+ |
220 |
8880 |
原裝認(rèn)準(zhǔn)芯澤盛世！ |
詢(xún)價(jià) | ||
pi |
25+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢(xún)價(jià) |
