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BD647 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：105.89 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD647 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：90.32 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD647 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 文件：336.95 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | COMSET | COMSET | |
BD647 | Silicon NPN Darlington Power Transistor Eplbase power darlington transistors (62.5W) BD 643, BD 645, BD647, and BD649 are monolithic NPN Silicon epibase power darlington transistors with diode and resistors in a TO 220 AB plastic package (TOP-66). The collectors of the two transistors are electrically connected to the metallic mounting 文件：125.42 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
BD647 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：115.8 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages | POINN | POINN | |
BD647 | Silicon NPN Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in output stages in audio equipment ,general amplifier, and analogue switching applications 文件：116.15 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD647 | NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：125.89 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SIEMENS 西門子 | SIEMENS | |
BD647 | PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 文件：127.08 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | SIEMENS 西門子 | SIEMENS | |
BD647 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor * Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 80V(Min) * High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A * Low Saturation Voltage * Complement to Type BD648 文件：108.24 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
BD647 | SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：112.31 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | COMSET | COMSET |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD699，BD899，BDW73B，BDX33B，BDX53B，F(xiàn)D50B,
- 最大耗散功率：
62.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
62.5
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD647
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 62.5W NPN Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-220 |
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