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首頁(yè) >BD540>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BD540	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD540	文件：249.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) ? Complement to Type BD539 APPLICATIONS ? Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.81 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
BD540	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：85.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	POINN	POINN
BD540	文件：129.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：129.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司	NJSEMI
BD540	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 40V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS	NJS
BD540A	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：85.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	POINN	POINN
BD540A	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD540A	文件：249.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) ? Complement to Type BD539A APPLICATIONS ? Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
BD540B	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD540B	文件：249.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) ? Complement to Type BD539B APPLICATIONS ? Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC

晶體管資料

型號(hào)：
BD540
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
120V
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BD244,BD544,BD596,3CD50B,
最大耗散功率：
45W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
B-10
vtest：
120
htest：
999900
atest：
5
wtest：
45

技術(shù)參數(shù)

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
\\[email protected]@[email protected]@3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
45000mW
Type：
PNP

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多BD540供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:00:00

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