| 型號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
BD246A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD245 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：108.19 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | BOURNS 伯恩斯 | BOURNS | |
BD246A | PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS The BD246 series are PNP power transistors in a TO3PN envelope. They are the power transistors for power amplifier and high-speed-switching applications. The complementary is BD245, A, B, C Compliance to RoHS. 文件：75.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | COMSET | COMSET | |
BD246A | isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BD249/A/B/C ? 125 W at 25°C case temperature ? 25 A continuous collector current 文件：197.22 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | ISC 無(wú)錫固電 | ISC | |
BD246A | Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ? Collector Current -IC= -10A ? Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = -45V(Min)- BD246; -60V(Min)- BD246A -80V(Min)- BD246B; -100V(Min)- BD246C ? Complement to Type BD245/A/B/C APPLICATIONS ? Designed for use in general purpose power amp 文件：135.14 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
BD246A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD245 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：91.29 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages | POINN | POINN | |
BD246A | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ? With TO-3PN package ? Complement to type BD249/A/B/C ? 125 W at 25°C case temperature ? 25 A continuous collector current 文件：145.07 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD246A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD245 Series ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 10 A Continuous Collector Current ● 15 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：465.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages | TRSYS Transys Electronics | TRSYS | |
BD246A | Silicon NPN Power Transistors 文件：146.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages | SAVANTIC | SAVANTIC | |
BD246A | Transistor | Comset | Comset | |
Package：TO-218-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 60V 10A SOT93 | Bourns Inc. | Bourns Inc. |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD250A,BD214/60,BD258/60,TIP34A,3CD10C,
- 最大耗散功率：
80W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-62
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
80
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BD246A
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3PN |
10000 |
全新 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-218 |
15000 |
原裝現(xiàn)貨熱賣(mài) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO-3P |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
pi |
25+ |
500000 |
行業(yè)低價(jià),代理渠道 |
詢(xún)價(jià) | |||
ST |
25+ |
TO-3P |
12300 |
獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-218 |
16900 |
原裝，請(qǐng)咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
2511 |
TO-218 |
16900 |
電子元器件采購(gòu)降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
26+ |
TO-218 |
60000 |
只有原裝 可配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
Bourns Inc. |
2022+ |
SOT-93 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
Bourns Inc. |
25+ |
SOT-93 |
20948 |
樣件支持,可原廠排單訂貨! |
詢(xún)價(jià) |
