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首頁 >BD243B>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BD243B	文件：86.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD244 Series ● 65 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● 10 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：86.39 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	POINN	POINN
BD243B	文件：90.48 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD244/A/B/C APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：90.48 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD243B	文件：34.04 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD243B and BD243C are silicon Epitaxial-Base NPN transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are inteded for use in medium power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD244B and BD244C respectively. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALES 文件：34.04 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS
BD243B	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD243B	文件：128.46 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：128.46 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體公司	NJSEMI
BD243BG	文件：147.12 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. Features ? High Current Gain Bandwidth Product ? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant* 文件：147.12 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD243B_07	文件：97.31 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：97.31 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD243B_14	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD243BG	文件：103.58 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Silicon Plastic Power Transistors 文件：103.58 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD243B	文件：300 bytes Page：1 Pages	BD243B: Power 6A 80V NPN The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices. Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc\nCollector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C\nHigh Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc\nCompact TO-220 AB Package\;	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

晶體管資料

型號：
BD243B
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
6A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD599,BD609,TIP41B,3DD67C,
最大耗散功率：
65W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
6
wtest：
65

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BD243B
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 1A，6A
電流 - 集電極截止（最大值）：
700μA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 3A，4V
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN 80V 6A TO220-3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BD243B供應商更新時間2026-1-19 10:43:00

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