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          首頁>BD241C>規(guī)格書詳情

          BD241C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

          PDF無圖
          廠商型號

          BD241C

          參數(shù)屬性

          BD241C 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 100V 3A TO220

          功能描述

          Complementary Silicon Plastic Power Transistors

          封裝外殼

          TO-220-3

          文件大小

          139.97 Kbytes

          頁面數(shù)量

          6

          生產(chǎn)廠商

          MOTOROLA

          中文名稱

          摩托羅拉

          網(wǎng)址

          網(wǎng)址

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          更新時間

          2026-1-19 11:22:00

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          晶體管資料

          • 型號:

            BD241C

          • 別名:

            BD241C三極管、BD241C晶體管、BD241C晶體三極管

          • 生產(chǎn)廠家:

          • 制作材料:

            Si-NPN

          • 性質(zhì):

            低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

          • 封裝形式:

            直插封裝

          • 極限工作電壓:

            100V

          • 最大電流允許值:

            3A

          • 最大工作頻率:

            <1MHZ或未知

          • 引腳數(shù):

            3

          • 可代換的型號:

            BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,

          • 最大耗散功率:

            40W

          • 放大倍數(shù):

          • 圖片代號:

            B-10

          • vtest:

            100

          • htest:

            999900

          • atest:

            3

          • wtest:

            40

          BD241C規(guī)格書詳情

          Complementary Silicon Plastic Power Transisotors

          . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

          ? Collector–Emitter Saturation Voltage —

          VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc

          ? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

          VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD241B, BD242B

          VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C

          ? High Current Gain — Bandwidth Product

          fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc

          ? Compact TO–220 AB Package

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號:

            BD241C

          • 制造商:

            onsemi

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

          • 包裝:

            卷帶(TR)

          • 晶體管類型:

            NPN

          • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

            1.2V @ 600mA,3A

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            300μA

          • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            25 @ 1A,4V

          • 頻率 - 躍遷:

            3MHz

          • 工作溫度:

            -65°C ~ 150°C(TJ)

          • 安裝類型:

            通孔

          • 封裝/外殼:

            TO-220-3

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TO-220

          • 描述:

            TRANS NPN 100V 3A TO220

          供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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