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首頁 >BD179>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BD179	文件：300 bytes Page：1 Pages	3.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON 80 VOLTS 30 WATTS Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.? DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc\n? BD179 is complementary with BD180	恩XP	恩XP
BD179	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin TO-225 Bulk	NJS	NJS
BD179	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	ST 意法半導體	ST
BD179	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 80V 3A SOT32	STMICROELECTRONICS 意法半導體	STMICROELECTRONICS
BD179	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 80V 3A TO126	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD179-10	文件：106.94 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPNP Transistor Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor . . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ? DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc ? BD179 is complementary with BD180 文件：106.94 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
BD179G	文件：86.43 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features ? DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc ? BD179 is complementary with BD180 ? P 文件：86.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD179G	文件：101.87 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features ? DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc ? BD179 is complementary with BD180 ? P 文件：101.87 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD179G.	文件：101.87 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistor Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor This device is designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features ? DC Current Gain - hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc ? BD179 is complementary with BD180 ? P 文件：101.87 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BD179NPN	文件：222.63 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175, 177, 179 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD176, 178, 180 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Liner and Switching Applications 文件：222.63 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	CDIL	CDIL

晶體管資料

型號：
BD179
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
80V
最大電流允許值：
3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD189,BD237,BD441,3CA72C,
最大耗散功率：
30W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-21
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3
wtest：
30

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BD179
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
800mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2V，1A
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
供應商器件封裝：
SOT-32
描述：
TRANS NPN 80V 3A SOT32

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導體有限公司	BD179	MOT	24+		1500		詢價
深圳市利加科技有限公司	BD179	PHI	16+	T0-126	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
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更多BD179供應商更新時間2026-1-19 17:18:00

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