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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR 〈TRIAC〉 文件:193.86 Kbytes 頁數(shù):12 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
MEDIUM POWER USE INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE 文件:217.57 Kbytes 頁數(shù):14 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
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700V - 10A - Triac Medium Power Use 文件:112.04 Kbytes 頁數(shù):8 Pages | RENESAS 瑞薩 | RENESAS | ||
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/w1s/marking.html">W1s;Package:SOT-363;NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array 文件:141.34 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array 文件:141.34 Kbytes 頁數(shù):7 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON | ||
絲印:WFs;Package:SOT-23;NPN Silicon Digital Transistor 文件:120.53 Kbytes 頁數(shù):11 Pages | INFINEON 英飛凌 | INFINEON |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性質:
表面帖裝型 (SMD)_低頻或音頻放大 (LF)
- 封裝形式:
貼片封裝
- 極限工作電壓:
40V
- 最大電流允許值:
2A
- 最大工作頻率:
100MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
2SB1188,
- 最大耗散功率:
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
H-100
- vtest:
40
- htest:
100000000
- atest:
2
- wtest:
0
技術參數(shù)
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):
100mA
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
50V
- 電阻器 - 基底(R1):
2.2 kOhms
- 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):
2.2 kOhms
- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):
20 @ 20mA,5V
- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):
300mV @ 1mA,20mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 頻率 - 躍遷:
140MHz
- 功率 - 最大值:
250mW
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
SC-101,SOT-883
- 供應商器件封裝:
PG-TSLP-3-4
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
80 |
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢 |
詢價 | |||||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
N/A |
6000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SOT89 |
7000 |
詢價 | |||
INFINEON |
1650+ |
SOT23 |
7500 |
只做原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
ANPEC |
23+ |
SOT163 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON |
2023+環(huán)保現(xiàn)貨 |
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5118 |
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務 |
詢價 | ||
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TSFP-3 |
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INFINEON |
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詢價 | ||
Infineon |
86436 |
只做正品 |
詢價 | ||||
24+ |
35000 |
詢價 |
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