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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BC849CT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856T, BC857T, BC858T, BC859T, BC860T 文件：229.15 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BC849CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信號三極管	CBI 創(chuàng)基電子	CBI
BC849CW	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. PNP complements: BC859W and BC860W. FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ? Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：48.43 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC849CW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) 文件：272.32 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BC849CW	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon AF Transistors NPN Silicon AF Transistors ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC856W, BC857W, BC858W, BC859W, BC860W (PNP) 文件：229.84 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON

技術(shù)參數(shù)

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
30
Vceo(V)：
30
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
100
Vce(sat)Ib(mA)：
5
hFE：
200-450
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
100
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-523
Arrays：
BCE

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