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首頁 >BC849>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BC849	文件：228.81 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. 文件：228.81 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
BC849	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：35.74 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC849	文件：35.64 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS SOT23 NPN SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：35.64 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BC849	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ? NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and AF amplifier applications. ? Especially suited for automatic insertion in thick- and thin-film circuits. ? These transistors are subdivided into three groups A, B and C according to their current gain. The typ 文件：301.49 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	GE	GE
BC849	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors ■ Features ● Low current (max. 100 mA) ● Low voltage (max. 45 V). ● PNP complements: BC859 and BC860. 文件：40.97 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEXIN 科信電子	KEXIN
BC849	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications 文件：476.38 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	LEIDITECH 雷卯電子	LEIDITECH
BC849	文件：595.68 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE 30/45/65 Volts CURRENT 225 mWatts FEATURES ? General purpose amplifier applications ? NPN epitaxial silicon, planar design ? Collector current IC = 100mA ? In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：595.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	PANJIT 強(qiáng)茂	PANJIT
BC849	文件：225.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications As complementary types the PNP transistors BC856...BC860 is recommended. 文件：225.24 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半導(dǎo)體	SEMTECH_ELEC
BC849	文件：406.31 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). 文件：406.31 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
BC849	文件：356.32 Kbytes Page：9 Pages	NPN general purpose transistors FEATURES ?Low current (max. 100 mA) ?Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ?General purpose switching and amplification. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BC859 and BC860. 文件：356.32 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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晶體管資料

型號：
BC849
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低噪放大（ra）
封裝形式：
貼片封裝
極限工作電壓：
30V
最大電流允許值：
0.1A
最大工作頻率：
30MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BCF32,BCF33,BCF81,
最大耗散功率：
放大倍數(shù)：
圖片代號：
H-15
vtest：
30
htest：
30000000
atest：
0.1
wtest：
0

技術(shù)參數(shù)

ptot(W)：
0.2
IC(A)：
0.1
Vcbo(V)：
30
Vceo(V)：
30
Vebo(V)：
5
Icbo(uA)：
0.015
Icbo(V)：
30
Vce(sat)(V)：
0.25~0.6
Vce(sat)Ic(mA)：
10~100
Vce(sat)Ib(mA)：
0.5~5
hFE：
110~800
hFEvce(v)：
5
hFEIc(mA)：
2
ftMHz：
300
ftVce(v)：
5
ftIc/Ie(mA)：
10
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市益百分電子有限公司	BC849	ST		SOT23/	2145	全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	BC849	恩XP	24+	SOT23	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	BC849	ST	17+	SOT23/	9988	原裝現(xiàn)貨QQ:547425301手機(jī)17621633780楊小姐	詢價(jià)
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更多BC849供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 15:36:00

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