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    BC558B分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

    PDF無圖
    廠商型號

    BC558B

    參數(shù)屬性

    BC558B 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

    功能描述

    Amplifier Transistors(PNP Silicon)
    TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

    封裝外殼

    TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

    文件大小

    158.9 Kbytes

    頁面數(shù)量

    6

    生產廠商

    ONSEMI

    中文名稱

    安森美半導體

    網址

    網址

    數(shù)據(jù)手冊

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    更新時間

    2026-1-23 9:59:00

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    BC558B規(guī)格書詳情

    BC558B屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體制造生產的BC558B晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

    Amplifier Transistors

    PNP Silicon

    特性 Features

    ? Pb?Free Packages are Available*

    產品屬性

    更多
    • 產品編號:

      BC558B

    • 制造商:

      onsemi

    • 類別:

      分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

    • 包裝:

      卷帶(TR)

    • 晶體管類型:

      PNP

    • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

      650mV @ 5mA,100mA

    • 電流 - 集電極截止(最大值):

      15nA(ICBO)

    • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

      200 @ 2mA,5V

    • 頻率 - 躍遷:

      150MHz

    • 工作溫度:

      150°C(TJ)

    • 安裝類型:

      通孔

    • 封裝/外殼:

      TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)

    • 供應商器件封裝:

      TO-92-3

    • 描述:

      TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

    供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
    onsemi
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