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BC4459	文件：586.44 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION The BC4459 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. 文件：586.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	GWSEMI 唯圣電子	GWSEMI
CJQ4459	文件：1.63444 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：1.63444 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
CJQ4459	文件：845.54 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：845.54 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJQ4459	文件：1.21107 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.21107 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多BC4459供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:30:00