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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BC337	文件：224.06 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ? NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. ? These types are also available subdi vided into three groups -16, -25, and -40, according to their DC current 文件：224.06 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	GE	GE
BC337	文件：38.82 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage VCBO: BC337 50 V BC338 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：38.82 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	JIANGSU 長(zhǎng)電科技	JIANGSU
BC337	文件：140.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR THE BC337, BC338 ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR USE IN AF DRIVER AND OUTPUT STAGES, AS WELL AS FOR UNIVERSAL APPLICATIONS. THE BC337, BC338 ARE COMPLEMENTARY TO THE PNP TYPE BC327, BC328 RESPECTIVELY. 文件：140.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC337	文件：167.68 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power dissipation PCM : 0.625 W（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO : BC337 50 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：167.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC337	文件：203.42 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications These types are subdivided into three groups -16, -25 and -40, according to their DC current gain. 文件：203.42 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半導(dǎo)體	SEMTECH_ELEC
BC337	文件：150.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 327, BC 328 (PNP) 文件：150.8 Kbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	SIEMENS 西門子	SIEMENS
BC337	文件：241.35 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Power dissipation 文件：241.35 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	TGS	TGS
BC337	文件：40.07 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS APPLICATIONS n WELL SUITABLE FOR TV AND HOME APPLIANCE EQUIPMENT n SMALL LOAD SWITCH TRANSISTORS WITH HIGH GAIN AND LOW SATURATION VOLTAGE 文件：40.07 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體	STMICROELECTRONICS
BC337	文件：1.33321 Mbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92(R) Plastic Package Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-92(R) Plastic Package. Features High current, complementary pair with BC327. Applications General purpose application and switching. 文件：1.33321 Mbytes 頁(yè)數(shù)：6 Pages	FOSHAN 藍(lán)箭電子	FOSHAN
BC337	文件：83.43 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ? High Current : IC=800mA. ? DC Current Gain : hFE=100 630 (VCE=1V, Ic=100mA). ? For Complementary with PNP type BC327. 文件：83.43 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	FS	FS

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晶體管資料

型號(hào)：
BC337(-16...-40)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號(hào)：
BC377,BC737,BC837,BC637,3DK4B,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍數(shù)：
圖片代號(hào)：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

技術(shù)參數(shù)

package_carrier：
NULL
package_name：
TO-92
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (min)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (typ)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (max)：
45
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (min)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (typ)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (max)：
5
Collector to Emitter Saturation Voltage (min)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (typ)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (max)：
0.7
Collector Current (dc) (min)：
0
Collector Current (dc) (typ)：
0
Collector Current (dc) (max)：
0.8
Power Dissipation (min)：
0
Power Dissipation (typ)：
0
Power Dissipation (max)：
1.5
DC Current Gain (min)：
100
DC Current Gain (typ)：
0
DC Current Gain (max)：
630
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
50

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