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BC33740TA	文件：33.1 Kbytes Page：3 Pages	Switching and Amplifier Applications Switching and Amplifier Applications ? Suitable for AF-Driver stages and low power output stages ? Complement to BC327/BC328 文件：33.1 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
BC337-40ZL1	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available* 文件：82.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BC337-40ZL1G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? These are Pb?Free Devices 文件：146.67 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BC337A	文件：122.73 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS General Purpose Transistors Best Suited for use in Driver and Output Stages of Audio Amplifier 文件：122.73 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CDIL	CDIL
BC337A	文件：99.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN Medium Power Transistor ? This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 800mA. ? Sourced from process 38. 文件：99.45 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半導體	FAIRCHILD
BC337-AP	文件：269.92 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features ? Halogen free available upon request by adding suffix -HF ? Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. ? Collector-current 0.8A ? Collector-base Voltage :VCBO=50V(BC337) , VCBO=30V(BC338) ? Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering inform 文件：269.92 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages	MCC	MCC
BC337G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? These are Pb?Free Devices 文件：146.67 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BC337RL1	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available* 文件：82.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BC337RL1G	文件：146.67 Kbytes Page：5 Pages	Amplifier Transistors Amplifier Transistors NPN Silicon Features ? These are Pb?Free Devices 文件：146.67 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
BC337-XBK	文件：95.06 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors ? Power dissipation 625 mW ? Plastic case TO-92(10D3) ? Weight approx. 0.18 g ? Plastic material has UL classification 94V-0 ? Special packaging bulk 文件：95.06 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DIOTEC 德歐泰克	DIOTEC

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晶體管資料

型號：
BC337(-16...-40)
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-NPN
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_TR
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
50V
最大電流允許值：
0.8A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BC377,BC737,BC837,BC637,3DK4B,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
A-23
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.8
wtest：
0.625

技術(shù)參數(shù)

package_carrier：
NULL
package_name：
TO-92
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (min)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (typ)：
0
Collector-Emitter Voltage (Base Open) (max)：
45
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (min)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (typ)：
0
Emitter-Base Voltage (Collector Open) (max)：
5
Collector to Emitter Saturation Voltage (min)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (typ)：
0
Collector to Emitter Saturation Voltage (max)：
0.7
Collector Current (dc) (min)：
0
Collector Current (dc) (typ)：
0
Collector Current (dc) (max)：
0.8
Power Dissipation (min)：
0
Power Dissipation (typ)：
0
Power Dissipation (max)：
1.5
DC Current Gain (min)：
100
DC Current Gain (typ)：
0
DC Current Gain (max)：
630
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
50

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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晶體管資料

技術(shù)參數(shù)

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