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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS General Purpose Transistors Deisgned For Small Signal Amplification From DC To Low Radio Frequencies 文件：151.41 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | CDIL | CDIL | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Switching and Amplifier Applications ? Low Noise: BC309 文件：69.33 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體 | FAIRCHILD | ||
Amplifier Transistors PNP Silicon Amplifier Transistors PNP Silicon Features ? Pb?Free Packages are Available* 文件：54.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | ONSEMI 安森美半導(dǎo)體 | ONSEMI | ||
PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complements: BC237 and BC237B. FEATURES ? Low current (max. 100 mA) ? Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification. 文件：52.42 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages | PHI PHI | PHI | ||
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS General Purpose Transistors Deisgned For Small Signal Amplification From DC To Low Radio Frequencies 文件：151.41 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages | CDIL | CDIL | ||
Amplifier Transistors(PNP) Amplifier Transistors PNP Silicon 文件：110.68 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | MOTOROLA 摩托羅拉 | MOTOROLA | ||
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晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_TR_輸出極 （E）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
1A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DA87C,
- 最大耗散功率：
0.85W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
C-40
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
0.85
技術(shù)參數(shù)
- 傳感器類型：
Thermistor Element
- 制造商：
Littelfuse
- 產(chǎn)品型號：
BC302J1K
- 產(chǎn)品類別：
Temperature Sensors
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Quectel |
18+ROHSNEW |
NB-IoT |
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