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BB506MFS-TL-E	文件：129.699 Kbytes Page：9 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features ? Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. ? High gain PG = 24 dB typ. (f = 900 MHz) ? Low noise NF = 1.4 dB typ. (f = 900 MHz) ? Low output capacitance Coss = 1.1 pF typ. (f = 1 MHz) ? Provide mini mold packages: CMPAK-4 (SOT-343mod) 文件：129.699 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
BD506	文件：166.6 Kbytes Page：2 Pages	PNP silicon annlar transistors 文件：166.6 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	MOTOROLA 摩托羅拉	MOTOROLA
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BD506N	文件：1.28802 Mbytes Page：3 Pages	50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators 文件：1.28802 Mbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	THINKISEMI 思祁半導(dǎo)體	THINKISEMI

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更多BB506MFS-TL-E供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 9:01:00