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BB303M	文件：102.66 Kbytes Page：14 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier Features ? Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. ? High forward transfer admittance; (\|yfs\| = 42 mS typ. at f = 1 kHz) ? Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 250V at C=200pF, Rs=0 conditions. ? Provide mini mold packages; MPAK- 文件：102.66 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
BC303	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES PNP SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES 文件：122.29 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC303	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors 文件：56.45 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BB303M	RENESAS/瑞薩	23+	SOT-143	122556	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳	詢價
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更多BB303M供應(yīng)商更新時間2026-1-19 11:09:00