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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BAW101S-Q	文件：214.69 Kbytes Page：10 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/k2/marking.html">K2；Package：TSSOP6；High voltage double diode 1. General description The BAW101S is a high-speed switching diode array with two separate dice, fabricated in planar technology and encapsulated in a small SOT363 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits ? Small plastic SMD package ? High switching speed: max. 文件：214.69 Kbytes 頁(yè)數(shù)：10 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAW101V	文件：100.21 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed: Maximum of 50ns ? High Reverse Breakdown Voltage: 325V for Single Diode or 650V for Series Connection ? Two Electrically Isolated Elements in a Single Compact Package ? Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V 文件：100.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BAW101V-7	文件：100.21 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed: Maximum of 50ns ? High Reverse Breakdown Voltage: 325V for Single Diode or 650V for Series Connection ? Two Electrically Isolated Elements in a Single Compact Package ? Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V 文件：100.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BAW101_07	文件：62.32 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Switching Diode 文件：62.32 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	INFINEON 英飛凌	INFINEON
BAW101_11	文件：428.34 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODES 文件：428.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BAW101_15	文件：428.34 Kbytes Page：2 Pages	ISOLATED HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODES 文件：428.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BAW101_15	文件：136.13 Kbytes Page：9 Pages	High voltage double diode 文件：136.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI
BAW101_15	文件：79.83 Kbytes Page：4 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE 文件：79.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BAW101_17	文件：277.83 Kbytes Page：5 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE 文件：277.83 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BAW101-215	文件：136.13 Kbytes Page：9 Pages	High voltage double diode 文件：136.13 Kbytes 頁(yè)數(shù)：9 Pages	PHI PHI	PHI

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技術(shù)參數(shù)

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
400 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
300 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
250 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4.5 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (μA)：
0.15 μA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
250 V
V(BR)R (V) Min (μA)：
300
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
SOT143

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	BAW101	NEXPERIA/安世	25+	SOT143B	600000	NEXPERIA/安世全新特價(jià)BAW101即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有排單訂	詢價(jià)
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司	BAW101		25+		5000	公司現(xiàn)貨庫(kù)存	詢價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	BAW101	NEXPERIA/安世	2021+	SOT-143	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
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深圳市得捷芯城科技有限公司	BAW101	Nexperia(安世)	25+	N/A	21000	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	BAW101	Nexperia(安世)	25+	N/A	21000	原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號(hào)開票。	詢價(jià)

更多BAW101供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-22 14:14:00

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