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BAV23S	文件：40.78 Kbytes Page：5 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/l30/marking.html">L30；Package：SOT-23；HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE DIODE Small Signal Diode 文件：40.78 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半導(dǎo)體	FAIRCHILD
BAV23S	文件：52.47 Kbytes Page：8 Pages	General purpose double diode DESCRIPTION The BAV23S consists of two general purpose diodes connected in series fabricated in planar technology, and encapsulated in the small SOT23 plastic SMD package. FEATURES ? Small plastic SMD package ? Switching speed: max. 50 ns ? General application ? Continuous reverse voltage: 文件：52.47 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	PHI PHI	PHI
BAV23S	文件：35.09 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE High Voltage Switching. FEATURES ? High Reliability. ? Small surface mounting type (SOT-23). 文件：35.09 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BAV23S	文件：140.26 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE DESCRIPTION BAV23S Consists of Two Planar Epitaxial High-Speed Diodes in One Microminiature Plastic Envelope Intended for Surface Mounting. The Device is Designed for Switching & General Applications. 文件：140.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CDIL	CDIL
BAV23S	文件：172.61 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed ? Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion ? High Reverse Breakdown Voltage ? Low Leakage Current ? Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device ? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability Mechanical Data ?Cas 文件：172.61 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	DIODES 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAV23S	文件：1.96167 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHING DIODE SWITCHING DIODE FEATURES ● Fast Switching Speed ● High Conductance ● For General Purpose Switching Applications 文件：1.96167 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	JIANGSU 長電科技	JIANGSU
BAV23S-13-F	文件：92.24 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed ? Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion ? For General Purpose Switching Applications ? High Conductance 文件：92.24 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAV23S-215	文件：306.49 Kbytes Page：13 Pages	Dual high-voltage switching diodes General description Dual high-voltage switching diodes, encapsulated in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High switching speed: trr ≤ 50 ns ■ Low capacitance: Cd ≤ 2 pF ■ Low leakage current ■ Small SMD plastic package ■ Repetitive peak reverse vol 文件：306.49 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	恩XP	恩XP
BAV23S-7-F	文件：92.24 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed ? Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion ? For General Purpose Switching Applications ? High Conductance 文件：92.24 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導(dǎo)體	DIODES
BAV23SE	文件：180.1 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES SOT-23 Plastic Package 文件：180.1 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半導(dǎo)體	SEMTECH_ELEC

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技術(shù)參數(shù)

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Dual
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
400 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
250 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
400 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
9 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
100
Maximum ReverseCurrent IR (μA)：
0.1 μA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
200 V
V(BR)R (V) Min (μA)：
250
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
VF(V) Max @ IF=10mA：
0.855
IR(uA) Max @ VR=80V：
100nA@200V
Packages：
SOT143

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更多BAV23供應(yīng)商更新時間2026-1-22 14:49:00

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