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BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed: Maximum of 50ns ? High Reverse Breakdown Voltage: 325V ? Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature ? Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm ? Totally Lead-Free & Fully RoHS 文件：90.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP-7	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Features ? Fast Switching Speed: Maximum of 50ns ? High Reverse Breakdown Voltage: 325V ? Low Leakage Current: Maximum of 50nA when VR = 5V or Maximum of 150nA when VR = 250V at Room Temperature ? Ultra Small Plastic SMD Package: 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm ? Totally Lead-Free & Fully RoHS 文件：90.12 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP_11	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP_15	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP-7	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP-7	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP-7B	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：87.26 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP-7B	文件：120.97 Kbytes Page：4 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE 文件：120.97 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	DIODES 美臺半導體	DIODES
BAS521LP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode	Diodes 美臺半導體	Diodes

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技術(shù)參數(shù)

Automotive Compliant PPAP：
BAS521LPQ
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating：
400 mW
ESD Diodes：
No Y/N
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM：
325 V
Reverse Recovery Time trr：
50 ns
Maximum Average Rectifier Current IO：
400 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM：
8 A
Forward Voltage Drop VF @ IF：
1.1 mA
Maximum Reverse Current IR：
0.15 μA
Maximum Reverse Current IR @ VR：
325 V
V(BR)R (V) Min @IR=100μA：
300
Total Capacitance CT：
5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=10mA：
N/A
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(nA) Max @ VR=5V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=30V：
N/A
IR(uA) Max @ VR=80V：
150nA@250V
Packages：
X1-DFN1006-2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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