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BAS101	文件：66.78 Kbytes Page：11 Pages	High-voltage switching diodes General description High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ High switching speed: trr ≤ 50 ns ■ Low capacitance: Cd ≤ 2 pF ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 300 V ■ Repetitive peak reverse voltage: 文件：66.78 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
BAS101	文件：665.19 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/hq/marking.html">HQ；Package：SOT23；High-voltage switching diodes 1.1 General description High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features 1.3 Applications Table 1. Product overview Type number Package Configuration Nexperia JEITA BAS101 SOT23 - single BAS101S SOT23 - dual series H 文件：665.19 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS101	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-voltage switching diodes High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. ? High switching speed: trr ≤ 50 ns\n? Low leakage current\n? Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 300\n? Low capacitance: Cd ≤ 2 pF\n? Reverse voltage: VR ≤ 300 V\n? Small SMD plastic package\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BAS101	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信號開關(guān)二極管	YJ 益嘉源	YJ
BAS101S	文件：665.19 Kbytes Page：11 Pages	絲印：HR；Package：SOT23；High-voltage switching diodes 1.1 General description High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features 1.3 Applications Table 1. Product overview Type number Package Configuration Nexperia JEITA BAS101 SOT23 - single BAS101S SOT23 - dual series H 文件：665.19 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BAS101S	文件：66.78 Kbytes Page：11 Pages	High-voltage switching diodes General description High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ High switching speed: trr ≤ 50 ns ■ Low capacitance: Cd ≤ 2 pF ■ Low leakage current ■ Reverse voltage: VR ≤ 300 V ■ Repetitive peak reverse voltage: 文件：66.78 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
BAS101_09	文件：126.56 Kbytes Page：11 Pages	High-voltage switching diodes 文件：126.56 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	恩XP	恩XP
BAS101_BAS101S_15	文件：126.56 Kbytes Page：11 Pages	High-voltage switching diodes 文件：126.56 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	PHI PHI	PHI
BAS101S	文件：126.56 Kbytes Page：11 Pages	High-voltage switching diodes 文件：126.56 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	恩XP	恩XP
BAS101S	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-voltage switching diodes High-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. ? High switching speed: trr ≤ 50 ns\n? Low leakage current\n? Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 300\n? Low capacitance: Cd ≤ 2 pF\n? Reverse voltage: VR ≤ 300 V\n? Small SMD plastic package\n? AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技術(shù)參數(shù)

IF(mA)：
200
VBR(V)：
250
VF(V)：
1.1
@IF(mA)：
100
IRM(μA)：
0.15
@VR(V)：
250
Trr(ns)：
50
Status：
Active

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