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AT12016-21	文件：22.56 Kbytes Page：1 Pages	SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE DESCRIPTION: The AT12016-21 is Designed for High Performance RF and Microwave Applications Requiring an Abrupt Variable Capacitance Characteristic. FEATURES INCLUDE: ? High Tuning Ratio, ?CT = 9.0 MIN. ? High Quality Factor, Q = 300 MIN. ? Hermetic Pkg, CP = .20 pF 文件：22.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：1 Pages	ASI	ASI
AT12016-21	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
AT1399AN	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN-56	AIMTRON 上傳：深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	AIMTRON
AT17C128-10PC	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP8	ATMEL/愛(ài)特梅爾上傳：深圳市吉銘電子科技有限公司	ATMEL/愛(ài)特梅爾
AT17F040-30CU	文件：0 bytes Page：0 Pages	LAP 8CN4 8	MICROCHIP 微芯科技上傳：深圳市維眾興電子有限公司	MICROCHIP

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更多AT12016-21供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 14:08:00