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APT50M60L2VR	文件：160.17 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS V? MOSFET POWER MOS V? MOSFET Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：160.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50M60L2VR	文件：34.91 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V? Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. ? TO-2 文件：34.91 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT50M60L2VR	文件：301.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 77A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching 文件：301.32 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
APT50M60L2VR_04	文件：160.17 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS V? MOSFET POWER MOS V? MOSFET Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. 文件：160.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT50M60L2VRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip

技術(shù)參數(shù)

package_carrier：
Tube
package_name：
TO-264 MAX (L2)
Breakdown Voltage (min)：
0
Breakdown Voltage (typ)：
0
Breakdown Voltage (max)：
500
Drain Current (dc) (min)：
0
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Drain Current (dc) (max)：
77

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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