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APT50GN60BDQ2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 APT

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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廠家型號(hào)：
APT50GN60BDQ2G
產(chǎn)品分類：
IC芯片
生產(chǎn)廠商：
APT
庫存數(shù)量：
5000
產(chǎn)品封裝：
TO247
生產(chǎn)批號(hào)：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時(shí)間：
2026-1-22 10:20:00

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詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：APT50GN60BDQ2G品牌：APT

只做原裝公司現(xiàn)貨

芯片型號(hào)：
APT50GN60BDQ2G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
9 頁
文件大小：
162.86 kb
資料說明：
Resonant Mode Combi IGBT

產(chǎn)品參考屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
APT50GN60BDQ2G
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，50A
開關(guān)能量：
1185μJ（開），1565μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
20ns/230ns
測(cè)試條件：
400V，50A，4.3 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 600V 107A 366W TO247

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市鵬和科技有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪留言
聯(lián)系人：
王女士
手機(jī)：
13728798915
詢價(jià)：
電話：
0755-83991013/83991019
傳真：
0755-83262032
地址：
深圳福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟598室

相關(guān)型號(hào)

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